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元件参数资料
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参数目录42114
> FDP2572 MOSFET N-CH 150V 29A TO-220AB
型号:
FDP2572
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 150V 29A TO-220AB
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
FDP2572 PDF
产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装
400
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
29A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
54 毫欧 @ 9A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
34nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1770pF @ 25V
功率 - 最大
135W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
TO-220AB
包装
管件
其它名称
FDP2572-ND
FDP2572FS
Q1965920
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